Proyecto ETMOS para desarrollar Diodos y Transistores ultrarrápidos...

Blog

HogarHogar / Blog / Proyecto ETMOS para desarrollar Diodos y Transistores ultrarrápidos...

Jul 04, 2023

Proyecto ETMOS para desarrollar Diodos y Transistores ultrarrápidos...

El carburo de silicio (SiC) y los nitruros del grupo III (GaN, AlN, InN y sus aleaciones) desempeñan un papel crucial en la conversión de energía eficiente desde el punto de vista energético, la electrónica de alta frecuencia y la optoelectrónica. Al combinar el

El carburo de silicio (SiC) y los nitruros del grupo III (GaN, AlN, InN y sus aleaciones) desempeñan un papel crucial en la conversión de energía eficiente desde el punto de vista energético, la electrónica de alta frecuencia y la optoelectrónica. Combinando la tecnología madura de estos semiconductores de banda ancha con las propiedades excepcionales de los materiales 2D, como el grafeno y los dicalcogenuros de metales de transición (específicamente disulfuro de molibdeno (MoS2)), los investigadores pueden desarrollar diodos y transistores ultrarrápidos.

Desde abril de 2020 hasta marzo de 2023, investigadores del CNR-IMM (Italia), CNRS-CRHEA (Francia), IEE-SAS (Eslovaquia), MFA-EK (Hungría) y la Universidad de Palermo (Italia) colaboraron en el FLAG- Proyecto ERA ETMOS para construir dispositivos conceptuales basados ​​en MoS2, SiC y nitruro de galio (GaN).

Lo más destacado del proyecto ETMOS fue el desarrollo de diodos de heterounión MoS2/SiC y MoS2/GaN con excelentes propiedades de rectificación. La inyección de corriente sintonizable se logró adaptando el dopaje de superficies de MoS2 o SiC (GaN).

El proyecto ETMOS ha difundido activamente sus resultados científicos a través de diversos medios, incluida su publicación en revistas de acceso abierto revisadas por pares, la participación en conferencias internacionales y la organización de un simposio en la reunión de otoño de 2022 de la Sociedad Europea de Investigación de Materiales (EMRS).

“La integración de materiales 2D proporciona nuevas funcionalidades a SiC y GaN, ampliando la gama de aplicaciones potenciales de estos semiconductores de banda ancha. Espero que esta tecnología abra nuevas oportunidades de mercado”, afirma el director de investigación de CNR-IMM, Filippo Giannazzo.

Aprende más